無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)半導(dǎo)體國產(chǎn)自研設(shè)備的廠商，主營設(shè)備包括金屬濺射沉積(PVD)，加強型等離子化學(xué)氣相沉積(PECVD)，等離子干法刻蝕(ETCH)三個領(lǐng)域，服務(wù)于為全球的功率器件(Power Device)，微機電系統(tǒng)(MEMS)、先進(jìn)封裝(Advanced Packaging)、化合物半導(dǎo)體(III-V)、射頻(RF)、集成電路(IC)客戶。設(shè)備具備優(yōu)異的重復(fù)性和穩(wěn)定性、低故障率、長使用壽命、易操作維修。得到客戶的廣泛認(rèn)可。

　　尚積半導(dǎo)體的氧化釩(VOx) 薄膜沉積，RF領(lǐng)域薄膜電阻關(guān)鍵工藝如氮化鉭(TaN)等薄膜沉積，TC-SAW SiO2薄膜沉積，高真空吸氣薄膜(Getter)沉積，技術(shù)參數(shù)均超越進(jìn)口設(shè)備，在客戶端已經(jīng)量產(chǎn)，市占率遙遙領(lǐng)先。

　　在功率器件市場，尚積半導(dǎo)體正面Hot Al設(shè)備填孔平坦化能力優(yōu)異，深寬比做到3:1，超越進(jìn)口設(shè)備；背面金屬濺射BSM性能穩(wěn)定，產(chǎn)能是進(jìn)口設(shè)備近兩倍。特別是在SiC領(lǐng)域，市占率遙遙領(lǐng)先。

　　尚積半導(dǎo)體在IC領(lǐng)域積累了二十余年的豐富經(jīng)驗，在高深寬比填孔、均勻性優(yōu)化、應(yīng)力控制、薄膜的多樣性及復(fù)雜性等多個技術(shù)領(lǐng)域有很深的造詣。

　　尚積半導(dǎo)體的PECVD和ETCH設(shè)備在MEMS、RF、Power等領(lǐng)域可以替代進(jìn)口設(shè)備，并提供更優(yōu)的工藝解決方案。